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BCSPHV12
IC

DFN1006-2

可供量大可议

BCSPHV12

特性:200瓦峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 微型DFN1006封装。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 应用:手机及配件。 基于微处理器的设备

品牌

BORN

封装

DFN1006-2

库存

2,975

货期

现货

BCSPHV12参数

封装DFN1006-2
品牌BORN(伯恩半导体)
MOQ / SPQ1 / 5
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存2975

BCSPHV12概述

特性:200瓦峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 微型DFN1006封装。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 应用:手机及配件。 基于微处理器的设备

BCSPHV12特性

暂无产品特性。

BCSPHV12应用领域

暂无应用领域。

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