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BCP53-16,115-JSM
IC

SOT-223

可供量大可议

BCP53-16,115-JSM

晶体管类型:PNP 集电极电流(Ic):1A 集射极击穿电压(Vceo):100V 耗散功率(Pd):1.5W 直流电流增益(hFE):250@150mA, 3V

品牌

JSMSEMI

封装

SOT-223

库存

1,635

货期

现货

BCP53-16,115-JSM参数

封装SOT-223
品牌JSMSEMI(杰盛微)
MOQ / SPQ1 / 5
分类三极管(BJT)
库存1635

BCP53-16,115-JSM概述

晶体管类型:PNP 集电极电流(Ic):1A 集射极击穿电压(Vceo):100V 耗散功率(Pd):1.5W 直流电流增益(hFE):250@150mA, 3V

BCP53-16,115-JSM特性

暂无产品特性。

BCP53-16,115-JSM应用领域

暂无应用领域。

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