BCP53,115-JSM
IC
SOT-223
可供量大可议
BCP53,115-JSM
晶体管类型：PNP 集电极电流(Ic)：1A 集射极击穿电压(Vceo)：80V 耗散功率(Pd)：1.3W 直流电流增益(hFE)：250@150mA, 2V
品牌
JSMSEMI
封装
SOT-223
库存
3,860
货期
现货
BCP53,115-JSM参数
| 封装 | SOT-223 |
|---|---|
| 品牌 | JSMSEMI(杰盛微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 3860 |
BCP53,115-JSM概述
晶体管类型：PNP 集电极电流(Ic)：1A 集射极击穿电压(Vceo)：80V 耗散功率(Pd)：1.3W 直流电流增益(hFE)：250@150mA, 2V
BCP53,115-JSM特性
暂无产品特性。
BCP53,115-JSM应用领域
暂无应用领域。