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BCM857BS-7-F
IC

SOT-363

可供量大可议

BCM857BS-7-F

三极管(BJT) 200mW 45V 100mA PNP

品牌

DIODES

封装

SOT-363

库存

20,939

货期

现货

BCM857BS-7-F参数

封装SOT-363
品牌DIODES(美台)
批次26+
晶体管类型PNP
集射极击穿电压(Vceo)45V
直流电流增益(hFE)220
集电极截止电流(Icbo)15nA
工作温度-65℃~+150℃
数量2个PNP
分类三极管(BJT)
库存20,939
MOQ / SPQ1 / 1
集电极电流(Ic)100mA
耗散功率(Pd)200mW
特征频率(fT)100MHz
集射极饱和电压(VCE(sat))100mV
射基极击穿电压(Vebo)5V

BCM857BS-7-F概述

三极管(BJT) 200mW 45V 100mA PNP

BCM857BS-7-F特性

暂无产品特性。

BCM857BS-7-F应用领域

暂无应用领域。

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