BCD7N65
IC
TO-252
可供量大可议
BCD7N65
该功率MOSFET采用先进的平面垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）技术制造。 由此生产的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。
品牌
baocheng
封装
TO-252
库存
6,310
货期
现货
BCD7N65参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | baocheng(宝乘) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 6310 |
BCD7N65概述
该功率MOSFET采用先进的平面垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）技术制造。 由此生产的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。
BCD7N65特性
暂无产品特性。
BCD7N65应用领域
暂无应用领域。