BC858B
IC
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BC858B
𛾾 𢺫 mV @IC = -󗙻 򏟋 mA; IB = -򏟋 񄂹 𢺫 mA PNP 򬓹 򏟋 V 󗙻 򏟋 򏟋 mA
品牌
BORN
封装
库存
6,000
货期
现货
BC858B参数
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 6000 |
| MOQ / SPQ | 50 / 1 |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 特征频率(fT) | 100MHz |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 650mV |
| 数量 | 1个PNP |
| 商品型号 | BC858B |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 三极管(BJT) |
| 品牌 | BORN/伯恩半导体 |
|---|---|
| 批次 | 25+ |
| 晶体管类型 | PNP |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 30V |
| 直流电流增益(hFE) | 220 |
| 集电极截止电流(Icbo) | 15nA |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V |
| 商品名称 | PNP 电流:100mA 电压:30V |
| 封装 | SOT-23 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 2.6e-05 |
BC858B概述
𛾾 𢺫 mV @IC = -󗙻 򏟋 mA; IB = -򏟋 񄂹 𢺫 mA PNP 򬓹 򏟋 V 󗙻 򏟋 򏟋 mA
BC858B特性
暂无产品特性。
BC858B应用领域
暂无应用领域。