BC857BLP4-7
IC
DFN-3(1x0.6)
可供量大可议
BC857BLP4-7
特性：BVCEO >-45V。 高集电极电流：IC =-100mA。 功率耗散：PD = 1W。 封装尺寸：0.6mm²， 比SOT23小13倍。 封装高度：0.4mm， 可减少板外轮廓。 互补NPN类型：BC847BLP4。 完全无铅， 完全符合RoHS标准。 无卤素和锑， “绿色”器件。 该部件符合JEDEC标准（如AEC-Q中参考）， 具有高可靠性
品牌
DIODES
封装
DFN-3(1x0.6)
库存
20
货期
现货
BC857BLP4-7参数
| 封装 | DFN-3(1x0.6) |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
BC857BLP4-7概述
特性：BVCEO >-45V。 高集电极电流：IC =-100mA。 功率耗散：PD = 1W。 封装尺寸：0.6mm²， 比SOT23小13倍。 封装高度：0.4mm， 可减少板外轮廓。 互补NPN类型：BC847BLP4。 完全无铅， 完全符合RoHS标准。 无卤素和锑， “绿色”器件。 该部件符合JEDEC标准（如AEC-Q中参考）， 具有高可靠性
BC857BLP4-7特性
暂无产品特性。
BC857BLP4-7应用领域
暂无应用领域。