BC857BLP-7B
IC
DFN1006-3
可供量大可议
BC857BLP-7B
特性：BVCEO >-45V。 高集电极电流：IC =-100mA。 功率耗散：PD = 1000mW。 封装尺寸：0.60mm²， 比SOT23小13倍。 封装高度：0.5mm， 可降低板外轮廓。 互补NPN类型：BC847BLP。 完全无铅， 完全符合RoHS标准。 无卤素和锑， “绿色”器件。 符合JEDEC标准， 具有高可靠性
品牌
DIODES
封装
DFN1006-3
库存
75
货期
现货
BC857BLP-7B参数
| 封装 | DFN1006-3 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 75 |
BC857BLP-7B概述
特性：BVCEO >-45V。 高集电极电流：IC =-100mA。 功率耗散：PD = 1000mW。 封装尺寸：0.60mm²， 比SOT23小13倍。 封装高度：0.5mm， 可降低板外轮廓。 互补NPN类型：BC847BLP。 完全无铅， 完全符合RoHS标准。 无卤素和锑， “绿色”器件。 符合JEDEC标准， 具有高可靠性
BC857BLP-7B特性
暂无产品特性。
BC857BLP-7B应用领域
暂无应用领域。