BC857BFA-7B
IC
DFN-3(0.8x0.6)
可供量大可议
BC857BFA-7B
特性：BVCEO >-45V。 高集电极电流：Ic =-100mA。 功耗：PD = 435mW。 封装尺寸：0.48mm²， 比SOT23小16倍。 封装高度：0.4mm， 可减少板外轮廓。 互补NPN型BC847BFA。 完全无铅， 完全符合RoHS标准。 无卤素和锑， 环保器件。 符合AEC-Q101标准， 可靠性高
品牌
DIODES
封装
DFN-3(0.8x0.6)
库存
35
货期
现货
BC857BFA-7B参数
| 封装 | DFN-3(0.8x0.6) |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 35 |
BC857BFA-7B概述
特性：BVCEO >-45V。 高集电极电流：Ic =-100mA。 功耗：PD = 435mW。 封装尺寸：0.48mm²， 比SOT23小16倍。 封装高度：0.4mm， 可减少板外轮廓。 互补NPN型BC847BFA。 完全无铅， 完全符合RoHS标准。 无卤素和锑， 环保器件。 符合AEC-Q101标准， 可靠性高
BC857BFA-7B特性
暂无产品特性。
BC857BFA-7B应用领域
暂无应用领域。