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BC857B-JSM
IC

SOT-23

可供量大可议

BC857B-JSM

晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):45V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):200mW 直流电流增益(hFE@Ic, Vce):220@2mA, 5V

品牌

JSMSEMI

封装

SOT-23

库存

1,550

货期

现货

BC857B-JSM参数

封装SOT-23
品牌JSMSEMI(杰盛微)
MOQ / SPQ1 / 50
分类三极管(BJT)
库存1550

BC857B-JSM概述

晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):45V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):200mW 直流电流增益(hFE@Ic, Vce):220@2mA, 5V

BC857B-JSM特性

暂无产品特性。

BC857B-JSM应用领域

暂无应用领域。

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