BC856BW, 115-JSM
IC
SOT-323
可供量大可议
BC856BW, 115-JSM
晶体管类型：PNP 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：65V 耗散功率(Pd)：200mW 直流电流增益(hFE)：220@2mA, 5V
品牌
JSMSEMI
封装
SOT-323
库存
2,700
货期
现货
BC856BW, 115-JSM参数
| 封装 | SOT-323 |
|---|---|
| 品牌 | JSMSEMI(杰盛微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 50 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 2700 |
BC856BW, 115-JSM概述
晶体管类型：PNP 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：65V 耗散功率(Pd)：200mW 直流电流增益(hFE)：220@2mA, 5V
BC856BW, 115-JSM特性
暂无产品特性。
BC856BW, 115-JSM应用领域
暂无应用领域。