BC850C, 215-JSM
IC
SOT-23
可供量大可议
BC850C, 215-JSM
晶体管类型：NPN 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：30V 耗散功率(Pd)：250mW 直流电流增益(hFE)：240@10uA, 5V
品牌
JSMSEMI
封装
SOT-23
库存
2,700
货期
现货
BC850C, 215-JSM参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | JSMSEMI(杰盛微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 50 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 2700 |
BC850C, 215-JSM概述
晶体管类型：NPN 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：30V 耗散功率(Pd)：250mW 直流电流增益(hFE)：240@10uA, 5V
BC850C, 215-JSM特性
暂无产品特性。
BC850C, 215-JSM应用领域
暂无应用领域。