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BC850C
IC

SOT-23

可供量大可议

BC850C

三极管(BJT) 250mW 30V 100mA NPN

品牌

SHIKUES

封装

SOT-23

库存

8,417

货期

现货

BC850C参数

封装SOT-23
品牌SHIKUES(时科)
批次两年内
晶体管类型NPN
集射极击穿电压(Vceo)30V
直流电流增益(hFE)240
集电极截止电流(Icbo)15nA
工作温度-65℃~+150℃
数量1个NPN
分类三极管(BJT)
库存8,417
MOQ / SPQ1 / 1
集电极电流(Ic)100mA
耗散功率(Pd)250mW
特征频率(fT)100MHz
集射极饱和电压(VCE(sat))90mV
射基极击穿电压(Vebo)5V

BC850C概述

三极管(BJT) 250mW 30V 100mA NPN

BC850C特性

暂无产品特性。

BC850C应用领域

暂无应用领域。

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