BC850BWE6327-HXY
IC
SOT-323
可供量大可议
BC850BWE6327-HXY
此款NPN三极管(BJT)具备0.1A的集电极电流(IC), 适合于信号放大与处理。 其集电极-发射极电压(VCEO)为45V, 保证了在高电压应用中的稳定性与可靠性。 直流电流增益(HFE)范围在200至450之间, 使得它在低功率应用中表现出色, 特别是在需要高增益的电路设计里。 此外, 该三极管的过渡频率(FT)达到了100MHz, 表明它同样适用于高频工作环境, 能够满足无线通信设备等应用场景的需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-323
库存
200
货期
现货
BC850BWE6327-HXY参数
| 封装 | SOT-323 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 200 |
BC850BWE6327-HXY概述
此款NPN三极管(BJT)具备0.1A的集电极电流(IC), 适合于信号放大与处理。 其集电极-发射极电压(VCEO)为45V, 保证了在高电压应用中的稳定性与可靠性。 直流电流增益(HFE)范围在200至450之间, 使得它在低功率应用中表现出色, 特别是在需要高增益的电路设计里。 此外, 该三极管的过渡频率(FT)达到了100MHz, 表明它同样适用于高频工作环境, 能够满足无线通信设备等应用场景的需求。
BC850BWE6327-HXY特性
暂无产品特性。
BC850BWE6327-HXY应用领域
暂无应用领域。
