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BC848CLT1G
IC

SOT-23

可供量大可议

BC848CLT1G

三极管(BJT) 300mW 30V 100mA NPN

品牌

ON

封装

SOT-23

库存

10,839

货期

现货

BC848CLT1G参数

封装SOT-23
品牌ON(安森美)
批次25+
晶体管类型NPN
集射极击穿电压(Vceo)30V
直流电流增益(hFE)110
集电极截止电流(Icbo)5uA
工作温度-55℃~+150℃
数量1个NPN
分类三极管(BJT)
库存10,839
MOQ / SPQ1 / 1
集电极电流(Ic)100mA
耗散功率(Pd)225mW
特征频率(fT)100MHz
集射极饱和电压(VCE(sat))250mV
射基极击穿电压(Vebo)5V

BC848CLT1G概述

三极管(BJT) 300mW 30V 100mA NPN

BC848CLT1G特性

暂无产品特性。

BC848CLT1G应用领域

暂无应用领域。

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