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BC848CDW1T1G
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IC

SOT-363

BC848CDW1T1G

此双 NPN 双极晶体管适用于通用放大器应用。 此器件采用 SOT-363/SC-88 封装, 适合低功率表面贴装应用。

品牌

onsemi

封装

SOT-363

交期

现货

批次

—

BC848CDW1T1G参数

封装SOT-363
品牌onsemi(安森美)
MOQ / SPQ1 / 5
集电极电流(Ic)100mA
耗散功率(Pd)380mW
特征频率(fT)100MHz
集射极饱和电压(VCE(sat))250mV
射基极击穿电压(Vebo)5V
配置独立式
商品型号BC848CDW1T1G
单位个
商品重量3.1e-05
分类三极管(BJT)
库存305
晶体管类型NPN
集射极击穿电压(Vceo)30V
直流电流增益(hFE)270
集电极截止电流(Icbo)5uA
工作温度-55℃~+150℃
数量2个NPN
商品名称NPN 电流:100mA 电压:30V
包装方式编带
商品类型三极管(BJT)

BC848CDW1T1G概述

此双 NPN 双极晶体管适用于通用放大器应用。 此器件采用 SOT-363/SC-88 封装, 适合低功率表面贴装应用。

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