BC847BLP-7B
IC
DFN-3(1x0.6)
可供量大可议
BC847BLP-7B
特性：BVCEO > 45V。 Ic = 100mA高集电极电流。 PD = 1000mW功率耗散。 0.60mm²封装尺寸， 比SOT23小13倍。 0.5mm封装高度， 减少板外轮廓。 互补PNP类型：BC857BLP。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑， “绿色”器件。 符合JEDEC标准， 具有高可靠性
品牌
DIODES
封装
DFN-3(1x0.6)
库存
515
货期
现货
BC847BLP-7B参数
| 封装 | DFN-3(1x0.6) |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 515 |
BC847BLP-7B概述
特性：BVCEO > 45V。 Ic = 100mA高集电极电流。 PD = 1000mW功率耗散。 0.60mm²封装尺寸， 比SOT23小13倍。 0.5mm封装高度， 减少板外轮廓。 互补PNP类型：BC857BLP。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑， “绿色”器件。 符合JEDEC标准， 具有高可靠性
BC847BLP-7B特性
暂无产品特性。
BC847BLP-7B应用领域
暂无应用领域。