BBY6602VH6327XTSA1
IC
SC-79-2
可供量大可议
BBY6602VH6327XTSA1
特性：高电容比。 高Q超突变调谐二极管。 低串联电阻。 专为移动通信设备中压控振荡器的低调谐电压操作而设计。 极低的电容散布。 无铅（符合RoHS标准）封装。 根据AEC Q101标准认证
品牌
Infineon
封装
SC-79-2
库存
3,367
货期
现货
BBY6602VH6327XTSA1参数
| 封装 | SC-79-2 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 变容二极管 |
|---|---|
| 库存 | 3367 |
BBY6602VH6327XTSA1概述
特性：高电容比。 高Q超突变调谐二极管。 低串联电阻。 专为移动通信设备中压控振荡器的低调谐电压操作而设计。 极低的电容散布。 无铅（符合RoHS标准）封装。 根据AEC Q101标准认证
BBY6602VH6327XTSA1特性
暂无产品特性。
BBY6602VH6327XTSA1应用领域
暂无应用领域。