BAV99LT1G-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
BAV99LT1G-HXY
该肖特基二极管额定正向电流(IF)为0.2A, 反向重复耐压(VR)达70V, 适用于低电流、中等电压的电路环境。 其正向导通压降(VF)为1.25V, 在小电流工况下具备良好的整流效率。 反向漏电流(IR)典型值为2.5μA, 表明其在关断状态下具有较高的阻断能力与稳定性。 该器件常用于便携式电子设备中的电源管理电路、电池充电模块、电压检测电路以及高频整流与防反接保护场合, 适合对空间布局和功耗表现有要求的应用场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
1,050
货期
现货
BAV99LT1G-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 50 |
| 分类 | 开关二极管 |
|---|---|
| 库存 | 1050 |
BAV99LT1G-HXY概述
该肖特基二极管额定正向电流(IF)为0.2A, 反向重复耐压(VR)达70V, 适用于低电流、中等电压的电路环境。 其正向导通压降(VF)为1.25V, 在小电流工况下具备良好的整流效率。 反向漏电流(IR)典型值为2.5μA, 表明其在关断状态下具有较高的阻断能力与稳定性。 该器件常用于便携式电子设备中的电源管理电路、电池充电模块、电压检测电路以及高频整流与防反接保护场合, 适合对空间布局和功耗表现有要求的应用场景。
BAV99LT1G-HXY特性
暂无产品特性。
BAV99LT1G-HXY应用领域
暂无应用领域。
