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BAV99LT1G-HXY
IC

SOT-23

可供量大可议

BAV99LT1G-HXY

该肖特基二极管额定正向电流(IF)为0.2A, 反向重复耐压(VR)达70V, 适用于低电流、中等电压的电路环境。 其正向导通压降(VF)为1.25V, 在小电流工况下具备良好的整流效率。 反向漏电流(IR)典型值为2.5μA, 表明其在关断状态下具有较高的阻断能力与稳定性。 该器件常用于便携式电子设备中的电源管理电路、电池充电模块、电压检测电路以及高频整流与防反接保护场合, 适合对空间布局和功耗表现有要求的应用场景。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

1,050

货期

现货

BAV99LT1G-HXY参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 50
分类开关二极管
库存1050

BAV99LT1G-HXY概述

该肖特基二极管额定正向电流(IF)为0.2A, 反向重复耐压(VR)达70V, 适用于低电流、中等电压的电路环境。 其正向导通压降(VF)为1.25V, 在小电流工况下具备良好的整流效率。 反向漏电流(IR)典型值为2.5μA, 表明其在关断状态下具有较高的阻断能力与稳定性。 该器件常用于便携式电子设备中的电源管理电路、电池充电模块、电压检测电路以及高频整流与防反接保护场合, 适合对空间布局和功耗表现有要求的应用场景。

BAV99LT1G-HXY特性

暂无产品特性。

BAV99LT1G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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