BAV70LT1G-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
BAV70LT1G-HXY
该肖特基二极管具备0.2A的平均整流电流(IF)和70V的反向耐压(VR), 适用于中等电压的整流与续流场景。 其正向导通压降为1.25V(VF), 在同类耐压等级中具有合理的导通损耗表现。 反向漏电流为2.5μA(IR), 在高温环境下仍可保持较好的阻断能力。 该器件适合用于消费类电子产品、便携式设备及通信模块中的电源电路, 可应用于DC-DC转换器、电池充电管理电路以及信号整流场合, 为需要较高反向耐压和稳定电气性能的电路设计提供支持。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
3,000
货期
现货
BAV70LT1G-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 50 |
| 分类 | 开关二极管 |
|---|---|
| 库存 | 3000 |
BAV70LT1G-HXY概述
该肖特基二极管具备0.2A的平均整流电流(IF)和70V的反向耐压(VR), 适用于中等电压的整流与续流场景。 其正向导通压降为1.25V(VF), 在同类耐压等级中具有合理的导通损耗表现。 反向漏电流为2.5μA(IR), 在高温环境下仍可保持较好的阻断能力。 该器件适合用于消费类电子产品、便携式设备及通信模块中的电源电路, 可应用于DC-DC转换器、电池充电管理电路以及信号整流场合, 为需要较高反向耐压和稳定电气性能的电路设计提供支持。
BAV70LT1G-HXY特性
暂无产品特性。
BAV70LT1G-HXY应用领域
暂无应用领域。
