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BAV70LT1G-HXY
IC

SOT-23

可供量大可议

BAV70LT1G-HXY

该肖特基二极管具备0.2A的平均整流电流(IF)和70V的反向耐压(VR), 适用于中等电压的整流与续流场景。 其正向导通压降为1.25V(VF), 在同类耐压等级中具有合理的导通损耗表现。 反向漏电流为2.5μA(IR), 在高温环境下仍可保持较好的阻断能力。 该器件适合用于消费类电子产品、便携式设备及通信模块中的电源电路, 可应用于DC-DC转换器、电池充电管理电路以及信号整流场合, 为需要较高反向耐压和稳定电气性能的电路设计提供支持。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

3,000

货期

现货

BAV70LT1G-HXY参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 50
分类开关二极管
库存3000

BAV70LT1G-HXY概述

该肖特基二极管具备0.2A的平均整流电流(IF)和70V的反向耐压(VR), 适用于中等电压的整流与续流场景。 其正向导通压降为1.25V(VF), 在同类耐压等级中具有合理的导通损耗表现。 反向漏电流为2.5μA(IR), 在高温环境下仍可保持较好的阻断能力。 该器件适合用于消费类电子产品、便携式设备及通信模块中的电源电路, 可应用于DC-DC转换器、电池充电管理电路以及信号整流场合, 为需要较高反向耐压和稳定电气性能的电路设计提供支持。

BAV70LT1G-HXY特性

暂无产品特性。

BAV70LT1G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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