BAT760-7-HXY
IC
SOD-323
可供量大可议
BAT760-7-HXY
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)为30V。 其正向压降(VF)为0.55V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流(IR)为1000μA, 在正常工作条件下维持合理水平。 器件可承受的峰值正向浪涌电流(IFSM)达1.5A, 适用于电源整流、高频开关、极性保护及低电压输出电路等场合, 凭借较低的VF值和快速恢复特性, 有助于提升系统整体效率与响应速度。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-323
库存
60
货期
现货
BAT760-7-HXY参数
| 封装 | SOD-323 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 60 |
BAT760-7-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)为30V。 其正向压降(VF)为0.55V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流(IR)为1000μA, 在正常工作条件下维持合理水平。 器件可承受的峰值正向浪涌电流(IFSM)达1.5A, 适用于电源整流、高频开关、极性保护及低电压输出电路等场合, 凭借较低的VF值和快速恢复特性, 有助于提升系统整体效率与响应速度。
BAT760-7-HXY特性
暂无产品特性。
BAT760-7-HXY应用领域
暂无应用领域。
