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BAT760-7-HXY
IC

SOD-323

可供量大可议

BAT760-7-HXY

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)为30V。 其正向压降(VF)为0.55V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流(IR)为1000μA, 在正常工作条件下维持合理水平。 器件可承受的峰值正向浪涌电流(IFSM)达1.5A, 适用于电源整流、高频开关、极性保护及低电压输出电路等场合, 凭借较低的VF值和快速恢复特性, 有助于提升系统整体效率与响应速度。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-323

库存

60

货期

现货

BAT760-7-HXY参数

封装SOD-323
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 20
分类肖特基二极管
库存60

BAT760-7-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)为30V。 其正向压降(VF)为0.55V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流(IR)为1000μA, 在正常工作条件下维持合理水平。 器件可承受的峰值正向浪涌电流(IFSM)达1.5A, 适用于电源整流、高频开关、极性保护及低电压输出电路等场合, 凭借较低的VF值和快速恢复特性, 有助于提升系统整体效率与响应速度。

BAT760-7-HXY特性

暂无产品特性。

BAT760-7-HXY应用领域

暂无应用领域。

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