BAT64T5Q-13-F-HXY
IC
SOD-523
可供量大可议
BAT64T5Q-13-F-HXY
该肖特基二极管采用独立式配置, 具有0.35A的正向电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.6V, 在导通状态下能耗较低; 反向漏电流(IR)仅为5μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达2A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、信号检波及低压高频电路等场景, 能够在有限空间内提供稳定可靠的单向导通功能。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-523
库存
185
货期
现货
BAT64T5Q-13-F-HXY参数
| 封装 | SOD-523 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 185 |
BAT64T5Q-13-F-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式配置, 具有0.35A的正向电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.6V, 在导通状态下能耗较低; 反向漏电流(IR)仅为5μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达2A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、信号检波及低压高频电路等场景, 能够在有限空间内提供稳定可靠的单向导通功能。
BAT64T5Q-13-F-HXY特性
暂无产品特性。
BAT64T5Q-13-F-HXY应用领域
暂无应用领域。
