BAT6402VH6327-HXY
IC
SOD-523
可供量大可议
BAT6402VH6327-HXY
该肖特基二极管采用独立式配置, 具有0.35A的平均正向电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.6V, 有助于在导通状态下维持较低的功耗; 反向漏电流(IR)仅为5μA, 表明其在关断状态下具备良好的隔离能力。 器件可承受高达2A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度有较高要求的整流、箝位及高频开关等电子电路应用。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-523
库存
25
货期
现货
BAT6402VH6327-HXY参数
| 封装 | SOD-523 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 25 |
BAT6402VH6327-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式配置, 具有0.35A的平均正向电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.6V, 有助于在导通状态下维持较低的功耗; 反向漏电流(IR)仅为5μA, 表明其在关断状态下具备良好的隔离能力。 器件可承受高达2A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度有较高要求的整流、箝位及高频开关等电子电路应用。
BAT6402VH6327-HXY特性
暂无产品特性。
BAT6402VH6327-HXY应用领域
暂无应用领域。
