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BAT6402VH6327-HXY
IC

SOD-523

可供量大可议

BAT6402VH6327-HXY

该肖特基二极管采用独立式配置, 具有0.35A的平均正向电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.6V, 有助于在导通状态下维持较低的功耗; 反向漏电流(IR)仅为5μA, 表明其在关断状态下具备良好的隔离能力。 器件可承受高达2A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度有较高要求的整流、箝位及高频开关等电子电路应用。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-523

库存

25

货期

现货

BAT6402VH6327-HXY参数

封装SOD-523
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存25

BAT6402VH6327-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式配置, 具有0.35A的平均正向电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.6V, 有助于在导通状态下维持较低的功耗; 反向漏电流(IR)仅为5μA, 表明其在关断状态下具备良好的隔离能力。 器件可承受高达2A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度有较高要求的整流、箝位及高频开关等电子电路应用。

BAT6402VH6327-HXY特性

暂无产品特性。

BAT6402VH6327-HXY应用领域

暂无应用领域。

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