BAT54XV2T5G-HXY
IC
SOD-523
可供量大可议
BAT54XV2T5G-HXY
该肖特基二极管采用独立式结构, 具有0.2A的正向电流(IF)和30V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.8V, 在低功耗电路中可有效减少能量损耗; 反向漏电流(IR)仅为2μA, 有助于提升系统能效。 器件可承受最大0.6A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于对响应速度和效率要求较高的整流、检波及电源管理等应用场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-523
库存
20
货期
现货
BAT54XV2T5G-HXY参数
| 封装 | SOD-523 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 20 |
BAT54XV2T5G-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式结构, 具有0.2A的正向电流(IF)和30V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.8V, 在低功耗电路中可有效减少能量损耗; 反向漏电流(IR)仅为2μA, 有助于提升系统能效。 器件可承受最大0.6A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于对响应速度和效率要求较高的整流、检波及电源管理等应用场景。
BAT54XV2T5G-HXY特性
暂无产品特性。
BAT54XV2T5G-HXY应用领域
暂无应用领域。
