BAT54GWJ-HXY
IC
SOD-123
可供量大可议
BAT54GWJ-HXY
该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流为0.2A, 最大反向电压达30V。 其正向压降典型值为0.45V, 在导通状态下功耗较低; 反向漏电流仅为0.5μA, 体现出良好的关断特性。 器件可承受峰值达4A的非重复性浪涌电流(IFSM), 适用于低电压、高效率要求的整流、续流及信号解调等电路场合, 适合对空间和能效有较高要求的便携式或紧凑型电子设备。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-123
库存
2,100
货期
现货
BAT54GWJ-HXY参数
| 封装 | SOD-123 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 2100 |
BAT54GWJ-HXY概述
该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流为0.2A, 最大反向电压达30V。 其正向压降典型值为0.45V, 在导通状态下功耗较低; 反向漏电流仅为0.5μA, 体现出良好的关断特性。 器件可承受峰值达4A的非重复性浪涌电流(IFSM), 适用于低电压、高效率要求的整流、续流及信号解调等电路场合, 适合对空间和能效有较高要求的便携式或紧凑型电子设备。
BAT54GWJ-HXY特性
暂无产品特性。
BAT54GWJ-HXY应用领域
暂无应用领域。
