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BAT5403WE6327HTSA1-HXY
IC

SOD-323

可供量大可议

BAT5403WE6327HTSA1-HXY

该肖特基二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为0.2A, 最大反向重复峰值电压(VR)达30V。 其正向压降(VF)典型值为0.8V, 有助于降低导通损耗; 在30V反向电压下, 漏电流(IR)为2μA。 器件可承受高达0.6A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于低电压整流、高频开关电路、电源极性保护及信号箝位等场合, 具备快速恢复特性和较高的能效表现。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-323

库存

10

货期

现货

BAT5403WE6327HTSA1-HXY参数

封装SOD-323
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类肖特基二极管
库存10

BAT5403WE6327HTSA1-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为0.2A, 最大反向重复峰值电压(VR)达30V。 其正向压降(VF)典型值为0.8V, 有助于降低导通损耗; 在30V反向电压下, 漏电流(IR)为2μA。 器件可承受高达0.6A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于低电压整流、高频开关电路、电源极性保护及信号箝位等场合, 具备快速恢复特性和较高的能效表现。

BAT5403WE6327HTSA1-HXY特性

暂无产品特性。

BAT5403WE6327HTSA1-HXY应用领域

暂无应用领域。

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