BAT5403WE6327HTSA1-HXY
IC
SOD-323
可供量大可议
BAT5403WE6327HTSA1-HXY
该肖特基二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为0.2A, 最大反向重复峰值电压(VR)达30V。 其正向压降(VF)典型值为0.8V, 有助于降低导通损耗; 在30V反向电压下, 漏电流(IR)为2μA。 器件可承受高达0.6A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于低电压整流、高频开关电路、电源极性保护及信号箝位等场合, 具备快速恢复特性和较高的能效表现。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-323
库存
10
货期
现货
BAT5403WE6327HTSA1-HXY参数
| 封装 | SOD-323 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 10 |
BAT5403WE6327HTSA1-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为0.2A, 最大反向重复峰值电压(VR)达30V。 其正向压降(VF)典型值为0.8V, 有助于降低导通损耗; 在30V反向电压下, 漏电流(IR)为2μA。 器件可承受高达0.6A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于低电压整流、高频开关电路、电源极性保护及信号箝位等场合, 具备快速恢复特性和较高的能效表现。
BAT5403WE6327HTSA1-HXY特性
暂无产品特性。
BAT5403WE6327HTSA1-HXY应用领域
暂无应用领域。
