BAT5402VH6327XTSA1-HXY
IC
SOD-523
可供量大可议
BAT5402VH6327XTSA1-HXY
该肖特基二极管采用独立式配置, 具有0.2A的正向电流(IF)和30V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.8V, 在低功耗应用中可有效减少能量损耗。 反向漏电流(IR)仅为2μA, 表现出优异的反向阻断特性。 器件可承受最大0.6A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度要求较高的电源管理、信号整流及保护电路等场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-523
库存
90
货期
现货
BAT5402VH6327XTSA1-HXY参数
| 封装 | SOD-523 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 90 |
BAT5402VH6327XTSA1-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式配置, 具有0.2A的正向电流(IF)和30V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.8V, 在低功耗应用中可有效减少能量损耗。 反向漏电流(IR)仅为2μA, 表现出优异的反向阻断特性。 器件可承受最大0.6A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度要求较高的电源管理、信号整流及保护电路等场景。
BAT5402VH6327XTSA1-HXY特性
暂无产品特性。
BAT5402VH6327XTSA1-HXY应用领域
暂无应用领域。
