BAT43WS-7-F-HXY
IC
SOD-323
可供量大可议
BAT43WS-7-F-HXY
该肖特基二极管为独立式配置, 具有0.2A的正向电流(IF)和30V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为1V, 在30V反向电压下漏电流(IR)仅为0.5μA, 表现出优异的低功耗特性。 器件的正向浪涌电流(IFSM)能力为0.2A, 适用于对效率和响应速度要求较高的低压整流、信号检波及电源管理等应用场景, 能够在紧凑空间内实现稳定的单向导通功能。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-323
库存
140
货期
现货
BAT43WS-7-F-HXY参数
| 封装 | SOD-323 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 140 |
BAT43WS-7-F-HXY概述
该肖特基二极管为独立式配置, 具有0.2A的正向电流(IF)和30V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为1V, 在30V反向电压下漏电流(IR)仅为0.5μA, 表现出优异的低功耗特性。 器件的正向浪涌电流(IFSM)能力为0.2A, 适用于对效率和响应速度要求较高的低压整流、信号检波及电源管理等应用场景, 能够在紧凑空间内实现稳定的单向导通功能。
BAT43WS-7-F-HXY特性
暂无产品特性。
BAT43WS-7-F-HXY应用领域
暂无应用领域。
