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BAT43WS-7-F-HXY
IC

SOD-323

可供量大可议

BAT43WS-7-F-HXY

该肖特基二极管为独立式配置, 具有0.2A的正向电流(IF)和30V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为1V, 在30V反向电压下漏电流(IR)仅为0.5μA, 表现出优异的低功耗特性。 器件的正向浪涌电流(IFSM)能力为0.2A, 适用于对效率和响应速度要求较高的低压整流、信号检波及电源管理等应用场景, 能够在紧凑空间内实现稳定的单向导通功能。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-323

库存

140

货期

现货

BAT43WS-7-F-HXY参数

封装SOD-323
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 20
分类肖特基二极管
库存140

BAT43WS-7-F-HXY概述

该肖特基二极管为独立式配置, 具有0.2A的正向电流(IF)和30V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为1V, 在30V反向电压下漏电流(IR)仅为0.5μA, 表现出优异的低功耗特性。 器件的正向浪涌电流(IFSM)能力为0.2A, 适用于对效率和响应速度要求较高的低压整流、信号检波及电源管理等应用场景, 能够在紧凑空间内实现稳定的单向导通功能。

BAT43WS-7-F-HXY特性

暂无产品特性。

BAT43WS-7-F-HXY应用领域

暂无应用领域。

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