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BAT42WS-7-F-HXY
IC

SOD-323

可供量大可议

BAT42WS-7-F-HXY

该肖特基二极管采用独立式配置, 正向平均电流(IF)为0.2A, 反向重复峰值电压(VR)达30V。 其正向压降(VF)为1V, 反向漏电流(IR)低至0.5μA, 体现出良好的导通与截止性能。 器件的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)为0.2A, 适用于对功耗和信号完整性要求较高的低电压整流、信号检波、电源箝位及高频开关等电子电路中。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-323

库存

40

货期

现货

BAT42WS-7-F-HXY参数

封装SOD-323
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 20
分类肖特基二极管
库存40

BAT42WS-7-F-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式配置, 正向平均电流(IF)为0.2A, 反向重复峰值电压(VR)达30V。 其正向压降(VF)为1V, 反向漏电流(IR)低至0.5μA, 体现出良好的导通与截止性能。 器件的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)为0.2A, 适用于对功耗和信号完整性要求较高的低电压整流、信号检波、电源箝位及高频开关等电子电路中。

BAT42WS-7-F-HXY特性

暂无产品特性。

BAT42WS-7-F-HXY应用领域

暂无应用领域。

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