BAT42WS-7-F-HXY
IC
SOD-323
可供量大可议
BAT42WS-7-F-HXY
该肖特基二极管采用独立式配置, 正向平均电流(IF)为0.2A, 反向重复峰值电压(VR)达30V。 其正向压降(VF)为1V, 反向漏电流(IR)低至0.5μA, 体现出良好的导通与截止性能。 器件的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)为0.2A, 适用于对功耗和信号完整性要求较高的低电压整流、信号检波、电源箝位及高频开关等电子电路中。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-323
库存
40
货期
现货
BAT42WS-7-F-HXY参数
| 封装 | SOD-323 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 40 |
BAT42WS-7-F-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式配置, 正向平均电流(IF)为0.2A, 反向重复峰值电压(VR)达30V。 其正向压降(VF)为1V, 反向漏电流(IR)低至0.5μA, 体现出良好的导通与截止性能。 器件的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)为0.2A, 适用于对功耗和信号完整性要求较高的低电压整流、信号检波、电源箝位及高频开关等电子电路中。
BAT42WS-7-F-HXY特性
暂无产品特性。
BAT42WS-7-F-HXY应用领域
暂无应用领域。
