BAT165E6874HTMA1-HXY
IC
SOD-323
可供量大可议
BAT165E6874HTMA1-HXY
该肖特基二极管采用独立式配置, 具有1A的额定正向电流(IF)和40V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.6V, 在40V反向电压下的漏电流(IR)不超过1000μA。 器件可承受高达9A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于低压电源整流、电池保护、开关电源输出级以及高频信号处理等场合, 兼顾较高的电流承载能力与较快的开关响应特性。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-323
库存
85
货期
现货
BAT165E6874HTMA1-HXY参数
| 封装 | SOD-323 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 85 |
BAT165E6874HTMA1-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式配置, 具有1A的额定正向电流(IF)和40V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.6V, 在40V反向电压下的漏电流(IR)不超过1000μA。 器件可承受高达9A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于低压电源整流、电池保护、开关电源输出级以及高频信号处理等场合, 兼顾较高的电流承载能力与较快的开关响应特性。
BAT165E6874HTMA1-HXY特性
暂无产品特性。
BAT165E6874HTMA1-HXY应用领域
暂无应用领域。
