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BAS70WX-HXY
IC

SOD-323

可供量大可议

BAS70WX-HXY

该肖特基二极管为独立式配置, 正向平均电流(IF)为0.07A, 反向重复峰值电压(VR)为70V, 正向压降(VF)典型值为1V, 反向漏电流(IR)低至0.1μA, 具备良好的阻断与导通特性。 其正向浪涌电流(IFSM)能力为0.1A, 适用于对功耗和体积要求较高的电子设备, 如便携终端、小型电源模块及高频信号处理电路中的整流与保护功能。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-323

库存

100

货期

现货

BAS70WX-HXY参数

封装SOD-323
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 20
分类肖特基二极管
库存100

BAS70WX-HXY概述

该肖特基二极管为独立式配置, 正向平均电流(IF)为0.07A, 反向重复峰值电压(VR)为70V, 正向压降(VF)典型值为1V, 反向漏电流(IR)低至0.1μA, 具备良好的阻断与导通特性。 其正向浪涌电流(IFSM)能力为0.1A, 适用于对功耗和体积要求较高的电子设备, 如便携终端、小型电源模块及高频信号处理电路中的整流与保护功能。

BAS70WX-HXY特性

暂无产品特性。

BAS70WX-HXY应用领域

暂无应用领域。

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