BAS70WX-HXY
IC
SOD-323
可供量大可议
BAS70WX-HXY
该肖特基二极管为独立式配置, 正向平均电流(IF)为0.07A, 反向重复峰值电压(VR)为70V, 正向压降(VF)典型值为1V, 反向漏电流(IR)低至0.1μA, 具备良好的阻断与导通特性。 其正向浪涌电流(IFSM)能力为0.1A, 适用于对功耗和体积要求较高的电子设备, 如便携终端、小型电源模块及高频信号处理电路中的整流与保护功能。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-323
库存
100
货期
现货
BAS70WX-HXY参数
| 封装 | SOD-323 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 100 |
BAS70WX-HXY概述
该肖特基二极管为独立式配置, 正向平均电流(IF)为0.07A, 反向重复峰值电压(VR)为70V, 正向压降(VF)典型值为1V, 反向漏电流(IR)低至0.1μA, 具备良好的阻断与导通特性。 其正向浪涌电流(IFSM)能力为0.1A, 适用于对功耗和体积要求较高的电子设备, 如便携终端、小型电源模块及高频信号处理电路中的整流与保护功能。
BAS70WX-HXY特性
暂无产品特性。
BAS70WX-HXY应用领域
暂无应用领域。
