库存与价格 最近更新:2026年10月9日 00:34(北京时间)
WMiC电子元器件采购平台
热门搜索型号:
BAS70W-04-7-F-HXY
IC

SOT-323

可供量大可议

BAS70W-04-7-F-HXY

该肖特基二极管采用串联式结构, 额定正向电流(IF)为0.2A, 最大反向电压(VR)达70V。 在导通状态下, 其正向压降(VF)为1.25V, 有助于降低功耗; 反向漏电流(IR)低至2.5μA, 体现出良好的阻断特性。 器件可承受峰值正向浪涌电流(IFSM)达2A, 适用于对体积和效率敏感的小信号整流、电源管理及高频开关电路等应用场景。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-323

库存

170

货期

现货

BAS70W-04-7-F-HXY参数

封装SOT-323
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类开关二极管
库存170

BAS70W-04-7-F-HXY概述

该肖特基二极管采用串联式结构, 额定正向电流(IF)为0.2A, 最大反向电压(VR)达70V。 在导通状态下, 其正向压降(VF)为1.25V, 有助于降低功耗; 反向漏电流(IR)低至2.5μA, 体现出良好的阻断特性。 器件可承受峰值正向浪涌电流(IFSM)达2A, 适用于对体积和效率敏感的小信号整流、电源管理及高频开关电路等应用场景。

BAS70W-04-7-F-HXY特性

暂无产品特性。

BAS70W-04-7-F-HXY应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件