BAS70W-04-7-F-HXY
IC
SOT-323
可供量大可议
BAS70W-04-7-F-HXY
该肖特基二极管采用串联式结构, 额定正向电流(IF)为0.2A, 最大反向电压(VR)达70V。 在导通状态下, 其正向压降(VF)为1.25V, 有助于降低功耗; 反向漏电流(IR)低至2.5μA, 体现出良好的阻断特性。 器件可承受峰值正向浪涌电流(IFSM)达2A, 适用于对体积和效率敏感的小信号整流、电源管理及高频开关电路等应用场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-323
库存
170
货期
现货
BAS70W-04-7-F-HXY参数
| 封装 | SOT-323 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 开关二极管 |
|---|---|
| 库存 | 170 |
BAS70W-04-7-F-HXY概述
该肖特基二极管采用串联式结构, 额定正向电流(IF)为0.2A, 最大反向电压(VR)达70V。 在导通状态下, 其正向压降(VF)为1.25V, 有助于降低功耗; 反向漏电流(IR)低至2.5μA, 体现出良好的阻断特性。 器件可承受峰值正向浪涌电流(IFSM)达2A, 适用于对体积和效率敏感的小信号整流、电源管理及高频开关电路等应用场景。
BAS70W-04-7-F-HXY特性
暂无产品特性。
BAS70W-04-7-F-HXY应用领域
暂无应用领域。
