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BAS70DW-04Q-7-F-HXY
IC

SOT-363

可供量大可议

BAS70DW-04Q-7-F-HXY

该肖特基二极管采用2对串联式结构, 额定正向电流为0.15A, 最大反向电压为75V。 在导通状态下, 其正向压降为1.25V; 在反向截止时, 漏电流仅为1μA, 表现出优异的阻断性能。 器件可承受高达2.5A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于需要多级串联配置的整流、信号箝位及电源保护等电路场合, 兼顾紧凑布局与电气可靠性。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-363

库存

190

货期

现货

BAS70DW-04Q-7-F-HXY参数

封装SOT-363
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类开关二极管
库存190

BAS70DW-04Q-7-F-HXY概述

该肖特基二极管采用2对串联式结构, 额定正向电流为0.15A, 最大反向电压为75V。 在导通状态下, 其正向压降为1.25V; 在反向截止时, 漏电流仅为1μA, 表现出优异的阻断性能。 器件可承受高达2.5A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于需要多级串联配置的整流、信号箝位及电源保护等电路场合, 兼顾紧凑布局与电气可靠性。

BAS70DW-04Q-7-F-HXY特性

暂无产品特性。

BAS70DW-04Q-7-F-HXY应用领域

暂无应用领域。

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