BAS70DW-04Q-7-F-HXY
IC
SOT-363
可供量大可议
BAS70DW-04Q-7-F-HXY
该肖特基二极管采用2对串联式结构, 额定正向电流为0.15A, 最大反向电压为75V。 在导通状态下, 其正向压降为1.25V; 在反向截止时, 漏电流仅为1μA, 表现出优异的阻断性能。 器件可承受高达2.5A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于需要多级串联配置的整流、信号箝位及电源保护等电路场合, 兼顾紧凑布局与电气可靠性。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-363
库存
190
货期
现货
BAS70DW-04Q-7-F-HXY参数
| 封装 | SOT-363 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 开关二极管 |
|---|---|
| 库存 | 190 |
BAS70DW-04Q-7-F-HXY概述
该肖特基二极管采用2对串联式结构, 额定正向电流为0.15A, 最大反向电压为75V。 在导通状态下, 其正向压降为1.25V; 在反向截止时, 漏电流仅为1μA, 表现出优异的阻断性能。 器件可承受高达2.5A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于需要多级串联配置的整流、信号箝位及电源保护等电路场合, 兼顾紧凑布局与电气可靠性。
BAS70DW-04Q-7-F-HXY特性
暂无产品特性。
BAS70DW-04Q-7-F-HXY应用领域
暂无应用领域。
