BAS70DW-04-7-F-HXY
IC
SOT-363
可供量大可议
BAS70DW-04-7-F-HXY
该肖特基二极管采用2对串联式配置, 正向电流(IF)为0.15A, 反向重复峰值电压(VR)达75V。 其正向压降(VF)为1.25V, 在75V反向电压下漏电流(IR)仅为1μA, 展现出优异的反向阻断能力和较低的导通损耗。 器件可承受高达2.5A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于需要高耐压与低漏电特性的整流、电压箝位及多路信号保护等电路场合。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-363
库存
160
货期
现货
BAS70DW-04-7-F-HXY参数
| 封装 | SOT-363 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 开关二极管 |
|---|---|
| 库存 | 160 |
BAS70DW-04-7-F-HXY概述
该肖特基二极管采用2对串联式配置, 正向电流(IF)为0.15A, 反向重复峰值电压(VR)达75V。 其正向压降(VF)为1.25V, 在75V反向电压下漏电流(IR)仅为1μA, 展现出优异的反向阻断能力和较低的导通损耗。 器件可承受高达2.5A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于需要高耐压与低漏电特性的整流、电压箝位及多路信号保护等电路场合。
BAS70DW-04-7-F-HXY特性
暂无产品特性。
BAS70DW-04-7-F-HXY应用领域
暂无应用领域。
