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BAS70DW-04-7-F-HXY
IC

SOT-363

可供量大可议

BAS70DW-04-7-F-HXY

该肖特基二极管采用2对串联式配置, 正向电流(IF)为0.15A, 反向重复峰值电压(VR)达75V。 其正向压降(VF)为1.25V, 在75V反向电压下漏电流(IR)仅为1μA, 展现出优异的反向阻断能力和较低的导通损耗。 器件可承受高达2.5A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于需要高耐压与低漏电特性的整流、电压箝位及多路信号保护等电路场合。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-363

库存

160

货期

现货

BAS70DW-04-7-F-HXY参数

封装SOT-363
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类开关二极管
库存160

BAS70DW-04-7-F-HXY概述

该肖特基二极管采用2对串联式配置, 正向电流(IF)为0.15A, 反向重复峰值电压(VR)达75V。 其正向压降(VF)为1.25V, 在75V反向电压下漏电流(IR)仅为1μA, 展现出优异的反向阻断能力和较低的导通损耗。 器件可承受高达2.5A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于需要高耐压与低漏电特性的整流、电压箝位及多路信号保护等电路场合。

BAS70DW-04-7-F-HXY特性

暂无产品特性。

BAS70DW-04-7-F-HXY应用领域

暂无应用领域。

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