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BAS7006E6327HTSA1-HXY
IC

SOT-23

可供量大可议

BAS7006E6327HTSA1-HXY

该肖特基二极管采用1对共阳极配置, 额定正向电流为0.2A, 最大反向电压为70V。 其正向压降为1.25V, 在反向偏置条件下漏电流仅为2.5μA, 表现出良好的低功耗与阻断能力。 器件可承受高达2A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、电源箝位、信号解调及多路同步开关等电路应用。 共阳极结构便于在紧凑布局中实现双通道共享参考点, 提升布线效率。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

190

货期

现货

BAS7006E6327HTSA1-HXY参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类开关二极管
库存190

BAS7006E6327HTSA1-HXY概述

该肖特基二极管采用1对共阳极配置, 额定正向电流为0.2A, 最大反向电压为70V。 其正向压降为1.25V, 在反向偏置条件下漏电流仅为2.5μA, 表现出良好的低功耗与阻断能力。 器件可承受高达2A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、电源箝位、信号解调及多路同步开关等电路应用。 共阳极结构便于在紧凑布局中实现双通道共享参考点, 提升布线效率。

BAS7006E6327HTSA1-HXY特性

暂无产品特性。

BAS7006E6327HTSA1-HXY应用领域

暂无应用领域。

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