BAS7006E6327HTSA1-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
BAS7006E6327HTSA1-HXY
该肖特基二极管采用1对共阳极配置, 额定正向电流为0.2A, 最大反向电压为70V。 其正向压降为1.25V, 在反向偏置条件下漏电流仅为2.5μA, 表现出良好的低功耗与阻断能力。 器件可承受高达2A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、电源箝位、信号解调及多路同步开关等电路应用。 共阳极结构便于在紧凑布局中实现双通道共享参考点, 提升布线效率。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
190
货期
现货
BAS7006E6327HTSA1-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 开关二极管 |
|---|---|
| 库存 | 190 |
BAS7006E6327HTSA1-HXY概述
该肖特基二极管采用1对共阳极配置, 额定正向电流为0.2A, 最大反向电压为70V。 其正向压降为1.25V, 在反向偏置条件下漏电流仅为2.5μA, 表现出良好的低功耗与阻断能力。 器件可承受高达2A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、电源箝位、信号解调及多路同步开关等电路应用。 共阳极结构便于在紧凑布局中实现双通道共享参考点, 提升布线效率。
BAS7006E6327HTSA1-HXY特性
暂无产品特性。
BAS7006E6327HTSA1-HXY应用领域
暂无应用领域。
