BAS7005E6327HTSA1-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
BAS7005E6327HTSA1-HXY
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流(IF)为0.07A, 最大反向电压(VR)达70V。 其正向压降(VF)为1V, 反向漏电流(IR)低至0.1μA, 展现出良好的反向截止特性。 非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)为0.1A, 适用于对空间布局和电路集成度有要求的场合, 常用于双路信号整流、电源极性保护及低压逻辑电平转换等应用。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
125
货期
现货
BAS7005E6327HTSA1-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 125 |
BAS7005E6327HTSA1-HXY概述
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流(IF)为0.07A, 最大反向电压(VR)达70V。 其正向压降(VF)为1V, 反向漏电流(IR)低至0.1μA, 展现出良好的反向截止特性。 非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)为0.1A, 适用于对空间布局和电路集成度有要求的场合, 常用于双路信号整流、电源极性保护及低压逻辑电平转换等应用。
BAS7005E6327HTSA1-HXY特性
暂无产品特性。
BAS7005E6327HTSA1-HXY应用领域
暂无应用领域。
