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BAS7005E6327HTSA1-HXY
IC

SOT-23

可供量大可议

BAS7005E6327HTSA1-HXY

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流(IF)为0.07A, 最大反向电压(VR)达70V。 其正向压降(VF)为1V, 反向漏电流(IR)低至0.1μA, 展现出良好的反向截止特性。 非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)为0.1A, 适用于对空间布局和电路集成度有要求的场合, 常用于双路信号整流、电源极性保护及低压逻辑电平转换等应用。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

125

货期

现货

BAS7005E6327HTSA1-HXY参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存125

BAS7005E6327HTSA1-HXY概述

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流(IF)为0.07A, 最大反向电压(VR)达70V。 其正向压降(VF)为1V, 反向漏电流(IR)低至0.1μA, 展现出良好的反向截止特性。 非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)为0.1A, 适用于对空间布局和电路集成度有要求的场合, 常用于双路信号整流、电源极性保护及低压逻辑电平转换等应用。

BAS7005E6327HTSA1-HXY特性

暂无产品特性。

BAS7005E6327HTSA1-HXY应用领域

暂无应用领域。

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