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BAS70-06Q-7-F-HXY
IC

SOT-23

可供量大可议

BAS70-06Q-7-F-HXY

该肖特基二极管采用1对共阳极配置, 额定正向电流为0.2A, 最大反向电压为70V。 其正向压降为1.25V, 在反向偏置条件下漏电流仅为2.5μA, 表现出较低的导通损耗和优异的反向截止特性。 器件可承受高达2A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于需要双路同步整流、电压箝位或极性保护等功能的电路, 常见于便携设备、消费类电子产品及通信模块中的电源管理单元。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

140

货期

现货

BAS70-06Q-7-F-HXY参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类开关二极管
库存140

BAS70-06Q-7-F-HXY概述

该肖特基二极管采用1对共阳极配置, 额定正向电流为0.2A, 最大反向电压为70V。 其正向压降为1.25V, 在反向偏置条件下漏电流仅为2.5μA, 表现出较低的导通损耗和优异的反向截止特性。 器件可承受高达2A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于需要双路同步整流、电压箝位或极性保护等功能的电路, 常见于便携设备、消费类电子产品及通信模块中的电源管理单元。

BAS70-06Q-7-F-HXY特性

暂无产品特性。

BAS70-06Q-7-F-HXY应用领域

暂无应用领域。

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