BAS70-06Q-7-F-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
BAS70-06Q-7-F-HXY
该肖特基二极管采用1对共阳极配置, 额定正向电流为0.2A, 最大反向电压为70V。 其正向压降为1.25V, 在反向偏置条件下漏电流仅为2.5μA, 表现出较低的导通损耗和优异的反向截止特性。 器件可承受高达2A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于需要双路同步整流、电压箝位或极性保护等功能的电路, 常见于便携设备、消费类电子产品及通信模块中的电源管理单元。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
140
货期
现货
BAS70-06Q-7-F-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 开关二极管 |
|---|---|
| 库存 | 140 |
BAS70-06Q-7-F-HXY概述
该肖特基二极管采用1对共阳极配置, 额定正向电流为0.2A, 最大反向电压为70V。 其正向压降为1.25V, 在反向偏置条件下漏电流仅为2.5μA, 表现出较低的导通损耗和优异的反向截止特性。 器件可承受高达2A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于需要双路同步整流、电压箝位或极性保护等功能的电路, 常见于便携设备、消费类电子产品及通信模块中的电源管理单元。
BAS70-06Q-7-F-HXY特性
暂无产品特性。
BAS70-06Q-7-F-HXY应用领域
暂无应用领域。
