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BAS70-06Q-13-F-HXY
IC

SOT-23

可供量大可议

BAS70-06Q-13-F-HXY

该肖特基二极管采用1对共阳极配置, 额定正向电流(IF)为0.2A, 最大反向重复峰值电压(VR)达70V。 其正向压降(VF)为1.25V, 反向漏电流(IR)低至2.5μA, 具备良好的导通与阻断特性。 器件可承受高达2A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于需要双路整流或信号钳位功能的紧凑型电子电路, 常见于消费类电子产品及电源转换模块中。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

170

货期

现货

BAS70-06Q-13-F-HXY参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类开关二极管
库存170

BAS70-06Q-13-F-HXY概述

该肖特基二极管采用1对共阳极配置, 额定正向电流(IF)为0.2A, 最大反向重复峰值电压(VR)达70V。 其正向压降(VF)为1.25V, 反向漏电流(IR)低至2.5μA, 具备良好的导通与阻断特性。 器件可承受高达2A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于需要双路整流或信号钳位功能的紧凑型电子电路, 常见于消费类电子产品及电源转换模块中。

BAS70-06Q-13-F-HXY特性

暂无产品特性。

BAS70-06Q-13-F-HXY应用领域

暂无应用领域。

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