库存与价格 最近更新:2026年10月9日 00:34(北京时间)
WMiC电子元器件采购平台
热门搜索型号:
BAS70-06-G3-08-HXY
IC

SOT-23

可供量大可议

BAS70-06-G3-08-HXY

该肖特基二极管采用1对共阳极配置, 具有0.2A的正向电流(IF)和70V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为1.25V, 在25℃环境下的反向漏电流(IR)典型值为2.5μA。 器件可承受高达2A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度有一定要求的整流与开关电路。 共阳极结构便于在双路信号处理或电源管理中实现紧凑布局, 适合用于消费类电子及便携设备中的低压高频应用场合。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

190

货期

现货

BAS70-06-G3-08-HXY参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类开关二极管
库存190

BAS70-06-G3-08-HXY概述

该肖特基二极管采用1对共阳极配置, 具有0.2A的正向电流(IF)和70V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为1.25V, 在25℃环境下的反向漏电流(IR)典型值为2.5μA。 器件可承受高达2A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度有一定要求的整流与开关电路。 共阳极结构便于在双路信号处理或电源管理中实现紧凑布局, 适合用于消费类电子及便携设备中的低压高频应用场合。

BAS70-06-G3-08-HXY特性

暂无产品特性。

BAS70-06-G3-08-HXY应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件