BAS70-06-G3-08-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
BAS70-06-G3-08-HXY
该肖特基二极管采用1对共阳极配置, 具有0.2A的正向电流(IF)和70V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为1.25V, 在25℃环境下的反向漏电流(IR)典型值为2.5μA。 器件可承受高达2A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度有一定要求的整流与开关电路。 共阳极结构便于在双路信号处理或电源管理中实现紧凑布局, 适合用于消费类电子及便携设备中的低压高频应用场合。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
190
货期
现货
BAS70-06-G3-08-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 开关二极管 |
|---|---|
| 库存 | 190 |
BAS70-06-G3-08-HXY概述
该肖特基二极管采用1对共阳极配置, 具有0.2A的正向电流(IF)和70V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为1.25V, 在25℃环境下的反向漏电流(IR)典型值为2.5μA。 器件可承受高达2A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度有一定要求的整流与开关电路。 共阳极结构便于在双路信号处理或电源管理中实现紧凑布局, 适合用于消费类电子及便携设备中的低压高频应用场合。
BAS70-06-G3-08-HXY特性
暂无产品特性。
BAS70-06-G3-08-HXY应用领域
暂无应用领域。
