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BAS70-06-7-F-HXY
IC

SOT-23

可供量大可议

BAS70-06-7-F-HXY

该肖特基二极管采用1对共阳极结构, 额定正向电流为0.2A, 最大反向电压为70V。 在导通状态下, 其正向压降为1.25V; 关断时的反向漏电流低至2.5μA, 体现出良好的阻断特性。 器件可承受峰值正向浪涌电流达2A(IFSM), 适用于高频整流、电源转换及信号钳位等电路。 共阳极配置有助于简化PCB布线, 在空间受限或需双路同步处理的场合具有实用优势。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

20

货期

现货

BAS70-06-7-F-HXY参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 20
分类开关二极管
库存20

BAS70-06-7-F-HXY概述

该肖特基二极管采用1对共阳极结构, 额定正向电流为0.2A, 最大反向电压为70V。 在导通状态下, 其正向压降为1.25V; 关断时的反向漏电流低至2.5μA, 体现出良好的阻断特性。 器件可承受峰值正向浪涌电流达2A(IFSM), 适用于高频整流、电源转换及信号钳位等电路。 共阳极配置有助于简化PCB布线, 在空间受限或需双路同步处理的场合具有实用优势。

BAS70-06-7-F-HXY特性

暂无产品特性。

BAS70-06-7-F-HXY应用领域

暂无应用领域。

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