BAS70-06-7-F-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
BAS70-06-7-F-HXY
该肖特基二极管采用1对共阳极结构, 额定正向电流为0.2A, 最大反向电压为70V。 在导通状态下, 其正向压降为1.25V; 关断时的反向漏电流低至2.5μA, 体现出良好的阻断特性。 器件可承受峰值正向浪涌电流达2A(IFSM), 适用于高频整流、电源转换及信号钳位等电路。 共阳极配置有助于简化PCB布线, 在空间受限或需双路同步处理的场合具有实用优势。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
20
货期
现货
BAS70-06-7-F-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 开关二极管 |
|---|---|
| 库存 | 20 |
BAS70-06-7-F-HXY概述
该肖特基二极管采用1对共阳极结构, 额定正向电流为0.2A, 最大反向电压为70V。 在导通状态下, 其正向压降为1.25V; 关断时的反向漏电流低至2.5μA, 体现出良好的阻断特性。 器件可承受峰值正向浪涌电流达2A(IFSM), 适用于高频整流、电源转换及信号钳位等电路。 共阳极配置有助于简化PCB布线, 在空间受限或需双路同步处理的场合具有实用优势。
BAS70-06-7-F-HXY特性
暂无产品特性。
BAS70-06-7-F-HXY应用领域
暂无应用领域。
