BAS70-05Q-13-F-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
BAS70-05Q-13-F-HXY
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 正向电流(IF)为0.2A, 反向重复峰值电压(VR)为70V。 其正向压降(VF)为1.25V, 反向漏电流(IR)低至2.5μA, 展现出优良的导通效率与关断特性。 器件可承受高达2A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于需要双路同步整流或电平钳位的紧凑型电路结构, 常见于便携设备、电源管理单元及信号处理模块中。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
160
货期
现货
BAS70-05Q-13-F-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 开关二极管 |
|---|---|
| 库存 | 160 |
BAS70-05Q-13-F-HXY概述
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 正向电流(IF)为0.2A, 反向重复峰值电压(VR)为70V。 其正向压降(VF)为1.25V, 反向漏电流(IR)低至2.5μA, 展现出优良的导通效率与关断特性。 器件可承受高达2A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于需要双路同步整流或电平钳位的紧凑型电路结构, 常见于便携设备、电源管理单元及信号处理模块中。
BAS70-05Q-13-F-HXY特性
暂无产品特性。
BAS70-05Q-13-F-HXY应用领域
暂无应用领域。
