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BAS70-05Q-13-F-HXY
IC

SOT-23

可供量大可议

BAS70-05Q-13-F-HXY

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 正向电流(IF)为0.2A, 反向重复峰值电压(VR)为70V。 其正向压降(VF)为1.25V, 反向漏电流(IR)低至2.5μA, 展现出优良的导通效率与关断特性。 器件可承受高达2A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于需要双路同步整流或电平钳位的紧凑型电路结构, 常见于便携设备、电源管理单元及信号处理模块中。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

160

货期

现货

BAS70-05Q-13-F-HXY参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类开关二极管
库存160

BAS70-05Q-13-F-HXY概述

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 正向电流(IF)为0.2A, 反向重复峰值电压(VR)为70V。 其正向压降(VF)为1.25V, 反向漏电流(IR)低至2.5μA, 展现出优良的导通效率与关断特性。 器件可承受高达2A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于需要双路同步整流或电平钳位的紧凑型电路结构, 常见于便携设备、电源管理单元及信号处理模块中。

BAS70-05Q-13-F-HXY特性

暂无产品特性。

BAS70-05Q-13-F-HXY应用领域

暂无应用领域。

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