BAS70-05-G3-08-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
BAS70-05-G3-08-HXY
该肖特基二极管采用1对共阴极配置， 额定正向电流为0.2A， 最大反向电压达70V。 其正向压降典型值为1.25V， 在25℃环境下的反向漏电流仅为2.5μA， 具备较低的导通损耗与良好的反向阻断特性。 器件可承受高达2A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）， 适用于对效率和响应速度有一定要求的整流、箝位及电源管理等电路场合。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
145
货期
现货
BAS70-05-G3-08-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 开关二极管 |
|---|---|
| 库存 | 145 |
BAS70-05-G3-08-HXY概述
该肖特基二极管采用1对共阴极配置， 额定正向电流为0.2A， 最大反向电压达70V。 其正向压降典型值为1.25V， 在25℃环境下的反向漏电流仅为2.5μA， 具备较低的导通损耗与良好的反向阻断特性。 器件可承受高达2A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）， 适用于对效率和响应速度有一定要求的整流、箝位及电源管理等电路场合。
BAS70-05-G3-08-HXY特性
暂无产品特性。
BAS70-05-G3-08-HXY应用领域
暂无应用领域。