BAS40H-HXY
IC
SOD-123FL
可供量大可议
BAS40H-HXY
该肖特基二极管采用独立式配置, 额定正向电流为1A, 最大反向电压为40V。 其正向压降低至0.55V, 有助于减少导通损耗; 反向漏电流为200μA, 表现出良好的反向阻断特性。 器件具备高达30A的非重复峰值正向浪涌电流能力, 适用于存在较大瞬态电流的电路场合。 得益于肖特基结构的快速开关特性和低导通压降, 该二极管常用于低压电源整流、极性保护及高频开关等电子应用中。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-123FL
库存
1,250
货期
现货
BAS40H-HXY参数
| 封装 | SOD-123FL |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 50 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 1250 |
BAS40H-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式配置, 额定正向电流为1A, 最大反向电压为40V。 其正向压降低至0.55V, 有助于减少导通损耗; 反向漏电流为200μA, 表现出良好的反向阻断特性。 器件具备高达30A的非重复峰值正向浪涌电流能力, 适用于存在较大瞬态电流的电路场合。 得益于肖特基结构的快速开关特性和低导通压降, 该二极管常用于低压电源整流、极性保护及高频开关等电子应用中。
BAS40H-HXY特性
暂无产品特性。
BAS40H-HXY应用领域
暂无应用领域。
