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BAS40H-HXY
IC

SOD-123FL

可供量大可议

BAS40H-HXY

该肖特基二极管采用独立式配置, 额定正向电流为1A, 最大反向电压为40V。 其正向压降低至0.55V, 有助于减少导通损耗; 反向漏电流为200μA, 表现出良好的反向阻断特性。 器件具备高达30A的非重复峰值正向浪涌电流能力, 适用于存在较大瞬态电流的电路场合。 得益于肖特基结构的快速开关特性和低导通压降, 该二极管常用于低压电源整流、极性保护及高频开关等电子应用中。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-123FL

库存

1,250

货期

现货

BAS40H-HXY参数

封装SOD-123FL
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 50
分类肖特基二极管
库存1250

BAS40H-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式配置, 额定正向电流为1A, 最大反向电压为40V。 其正向压降低至0.55V, 有助于减少导通损耗; 反向漏电流为200μA, 表现出良好的反向阻断特性。 器件具备高达30A的非重复峰值正向浪涌电流能力, 适用于存在较大瞬态电流的电路场合。 得益于肖特基结构的快速开关特性和低导通压降, 该二极管常用于低压电源整流、极性保护及高频开关等电子应用中。

BAS40H-HXY特性

暂无产品特性。

BAS40H-HXY应用领域

暂无应用领域。

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