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BAS40-06-E3-08-HXY
IC

SOT-23

可供量大可议

BAS40-06-E3-08-HXY

该肖特基二极管采用1对共阳极配置, 正向电流(IF)为0.2A, 反向重复峰值电压(VR)达40V。 其正向压降(VF)为1V, 反向漏电流(IR)低至0.2μA, 体现出良好的导通与阻断性能。 器件可承受的最大正向浪涌电流(IFSM)为0.6A。 共阳极结构便于在双路信号或电源路径中实现紧凑布局, 适用于需要同步整流或极性保护的便携式电子与通信设备中的电源管理及信号切换电路。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

170

货期

现货

BAS40-06-E3-08-HXY参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类肖特基二极管
库存170

BAS40-06-E3-08-HXY概述

该肖特基二极管采用1对共阳极配置, 正向电流(IF)为0.2A, 反向重复峰值电压(VR)达40V。 其正向压降(VF)为1V, 反向漏电流(IR)低至0.2μA, 体现出良好的导通与阻断性能。 器件可承受的最大正向浪涌电流(IFSM)为0.6A。 共阳极结构便于在双路信号或电源路径中实现紧凑布局, 适用于需要同步整流或极性保护的便携式电子与通信设备中的电源管理及信号切换电路。

BAS40-06-E3-08-HXY特性

暂无产品特性。

BAS40-06-E3-08-HXY应用领域

暂无应用领域。

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