BAS40-05-E3-08-HXY
IC
SOT-23-3
可供量大可议
BAS40-05-E3-08-HXY
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 具有0.2A的正向平均电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为1V, 反向漏电流(IR)仅为0.2μA, 展现出优异的导通效率与低漏电特性。 器件可承受0.6A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于低压整流、信号检波及电源极性保护等电路, 常见于便携式电子产品和小型电源模块中。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23-3
库存
160
货期
现货
BAS40-05-E3-08-HXY参数
| 封装 | SOT-23-3 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 160 |
BAS40-05-E3-08-HXY概述
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 具有0.2A的正向平均电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为1V, 反向漏电流(IR)仅为0.2μA, 展现出优异的导通效率与低漏电特性。 器件可承受0.6A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于低压整流、信号检波及电源极性保护等电路, 常见于便携式电子产品和小型电源模块中。
BAS40-05-E3-08-HXY特性
暂无产品特性。
BAS40-05-E3-08-HXY应用领域
暂无应用领域。
