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BAS40-05-E3-08-HXY
IC

SOT-23-3

可供量大可议

BAS40-05-E3-08-HXY

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 具有0.2A的正向平均电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为1V, 反向漏电流(IR)仅为0.2μA, 展现出优异的导通效率与低漏电特性。 器件可承受0.6A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于低压整流、信号检波及电源极性保护等电路, 常见于便携式电子产品和小型电源模块中。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23-3

库存

160

货期

现货

BAS40-05-E3-08-HXY参数

封装SOT-23-3
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类肖特基二极管
库存160

BAS40-05-E3-08-HXY概述

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 具有0.2A的正向平均电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为1V, 反向漏电流(IR)仅为0.2μA, 展现出优异的导通效率与低漏电特性。 器件可承受0.6A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于低压整流、信号检波及电源极性保护等电路, 常见于便携式电子产品和小型电源模块中。

BAS40-05-E3-08-HXY特性

暂无产品特性。

BAS40-05-E3-08-HXY应用领域

暂无应用领域。

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