BAS40-04Q-13-F-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
BAS40-04Q-13-F-HXY
该肖特基二极管采用串联式结构, 具有0.2A的正向电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为1V, 在反向偏置条件下漏电流(IR)低至0.2μA, 展现出优异的阻断特性。 器件可承受最大0.6A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度要求较高的低压整流与信号处理场景。 串联配置有助于提升整体耐压能力, 同时保持较低的导通损耗, 适合用于便携式电子设备及精密电源管理电路中。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
170
货期
现货
BAS40-04Q-13-F-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 170 |
BAS40-04Q-13-F-HXY概述
该肖特基二极管采用串联式结构, 具有0.2A的正向电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为1V, 在反向偏置条件下漏电流(IR)低至0.2μA, 展现出优异的阻断特性。 器件可承受最大0.6A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度要求较高的低压整流与信号处理场景。 串联配置有助于提升整体耐压能力, 同时保持较低的导通损耗, 适合用于便携式电子设备及精密电源管理电路中。
BAS40-04Q-13-F-HXY特性
暂无产品特性。
BAS40-04Q-13-F-HXY应用领域
暂无应用领域。
