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BAS40-04Q-13-F-HXY
IC

SOT-23

可供量大可议

BAS40-04Q-13-F-HXY

该肖特基二极管采用串联式结构, 具有0.2A的正向电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为1V, 在反向偏置条件下漏电流(IR)低至0.2μA, 展现出优异的阻断特性。 器件可承受最大0.6A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度要求较高的低压整流与信号处理场景。 串联配置有助于提升整体耐压能力, 同时保持较低的导通损耗, 适合用于便携式电子设备及精密电源管理电路中。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

170

货期

现货

BAS40-04Q-13-F-HXY参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类肖特基二极管
库存170

BAS40-04Q-13-F-HXY概述

该肖特基二极管采用串联式结构, 具有0.2A的正向电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为1V, 在反向偏置条件下漏电流(IR)低至0.2μA, 展现出优异的阻断特性。 器件可承受最大0.6A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度要求较高的低压整流与信号处理场景。 串联配置有助于提升整体耐压能力, 同时保持较低的导通损耗, 适合用于便携式电子设备及精密电源管理电路中。

BAS40-04Q-13-F-HXY特性

暂无产品特性。

BAS40-04Q-13-F-HXY应用领域

暂无应用领域。

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