BAS40-04-G3-08-HXY

该肖特基二极管采用串联式结构， 额定正向电流（IF）为0.2A， 最大反向电压（VR）达40V。 其正向压降（VF）为1V， 在导通状态下能量损耗较低； 反向漏电流（IR）仅为0.2μA， 表现出优异的阻断性能。 器件可承受的最大正向浪涌电流（IFSM）为0.6A， 适用于对体积和效率敏感的小功率电子系统， 如便携设备电源整流、信号检波及低功耗电路中的极性保护等场景。