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BAS40-02V-G3-08-HXY
IC

SOD-523

可供量大可议

BAS40-02V-G3-08-HXY

该肖特基二极管采用独立式配置, 具有0.35A的正向电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.6V, 在导通状态下能有效降低功耗; 反向漏电流(IR)仅为5μA, 表现出优异的反向阻断特性。 器件可承受高达2A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度要求较高的整流、续流及电源管理场景, 尤其适合空间受限或低功耗设计中的高频应用。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-523

库存

70

货期

现货

BAS40-02V-G3-08-HXY参数

封装SOD-523
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存70

BAS40-02V-G3-08-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式配置, 具有0.35A的正向电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.6V, 在导通状态下能有效降低功耗; 反向漏电流(IR)仅为5μA, 表现出优异的反向阻断特性。 器件可承受高达2A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度要求较高的整流、续流及电源管理场景, 尤其适合空间受限或低功耗设计中的高频应用。

BAS40-02V-G3-08-HXY特性

暂无产品特性。

BAS40-02V-G3-08-HXY应用领域

暂无应用领域。

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