BAS40-02V-G3-08-HXY
IC
SOD-523
可供量大可议
BAS40-02V-G3-08-HXY
该肖特基二极管采用独立式配置, 具有0.35A的正向电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.6V, 在导通状态下能有效降低功耗; 反向漏电流(IR)仅为5μA, 表现出优异的反向阻断特性。 器件可承受高达2A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度要求较高的整流、续流及电源管理场景, 尤其适合空间受限或低功耗设计中的高频应用。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-523
库存
70
货期
现货
BAS40-02V-G3-08-HXY参数
| 封装 | SOD-523 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 70 |
BAS40-02V-G3-08-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式配置, 具有0.35A的正向电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.6V, 在导通状态下能有效降低功耗; 反向漏电流(IR)仅为5μA, 表现出优异的反向阻断特性。 器件可承受高达2A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度要求较高的整流、续流及电源管理场景, 尤其适合空间受限或低功耗设计中的高频应用。
BAS40-02V-G3-08-HXY特性
暂无产品特性。
BAS40-02V-G3-08-HXY应用领域
暂无应用领域。
