BAS381-TR3
IC
SMD
可供量大可议
BAS381-TR3
特性：集成抗静电放电保护环。 低电容。 低漏电流。 低正向压降。 极短开关时间。 符合RoHS标准且无卤。 应用：通用和开关肖特基势垒二极管。 高频探测器
品牌
VISHAY
封装
SMD
库存
4,950
货期
现货
BAS381-TR3参数
| 封装 | SMD |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 4950 |
BAS381-TR3概述
特性：集成抗静电放电保护环。 低电容。 低漏电流。 低正向压降。 极短开关时间。 符合RoHS标准且无卤。 应用：通用和开关肖特基势垒二极管。 高频探测器
BAS381-TR3特性
暂无产品特性。
BAS381-TR3应用领域
暂无应用领域。