BAS170WS-E3-08-HXY
IC
SOD-323
可供量大可议
BAS170WS-E3-08-HXY
该肖特基二极管为独立式配置, 具有70V的反向重复峰值电压(VR)和0.07A的正向平均电流(IF)。 其正向压降(VF)典型值为1V, 在反向偏置条件下漏电流(IR)低至0.1μA, 表现出优异的阻断特性。 器件的正向浪涌电流能力(IFSM)为0.1A, 适用于对效率和响应速度要求较高的低功耗电路场景, 如便携式电子设备中的电源管理、信号整流及高频开关应用。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-323
库存
130
货期
现货
BAS170WS-E3-08-HXY参数
| 封装 | SOD-323 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 130 |
BAS170WS-E3-08-HXY概述
该肖特基二极管为独立式配置, 具有70V的反向重复峰值电压(VR)和0.07A的正向平均电流(IF)。 其正向压降(VF)典型值为1V, 在反向偏置条件下漏电流(IR)低至0.1μA, 表现出优异的阻断特性。 器件的正向浪涌电流能力(IFSM)为0.1A, 适用于对效率和响应速度要求较高的低功耗电路场景, 如便携式电子设备中的电源管理、信号整流及高频开关应用。
BAS170WS-E3-08-HXY特性
暂无产品特性。
BAS170WS-E3-08-HXY应用领域
暂无应用领域。
