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BAS170WS-E3-08-HXY
IC

SOD-323

可供量大可议

BAS170WS-E3-08-HXY

该肖特基二极管为独立式配置, 具有70V的反向重复峰值电压(VR)和0.07A的正向平均电流(IF)。 其正向压降(VF)典型值为1V, 在反向偏置条件下漏电流(IR)低至0.1μA, 表现出优异的阻断特性。 器件的正向浪涌电流能力(IFSM)为0.1A, 适用于对效率和响应速度要求较高的低功耗电路场景, 如便携式电子设备中的电源管理、信号整流及高频开关应用。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-323

库存

130

货期

现货

BAS170WS-E3-08-HXY参数

封装SOD-323
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存130

BAS170WS-E3-08-HXY概述

该肖特基二极管为独立式配置, 具有70V的反向重复峰值电压(VR)和0.07A的正向平均电流(IF)。 其正向压降(VF)典型值为1V, 在反向偏置条件下漏电流(IR)低至0.1μA, 表现出优异的阻断特性。 器件的正向浪涌电流能力(IFSM)为0.1A, 适用于对效率和响应速度要求较高的低功耗电路场景, 如便携式电子设备中的电源管理、信号整流及高频开关应用。

BAS170WS-E3-08-HXY特性

暂无产品特性。

BAS170WS-E3-08-HXY应用领域

暂无应用领域。

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